Кризис с чипами памяти DRAM и NAND, спровоцированный взрывным спросом на ИИ-инфраструктуру, радикально меняет ландшафт производства смартфонов в 2026 году, и iPhone здесь выходит в лидеры по устойчивости. Аналитики IDC прогнозируют падение глобальных поставок смартфонов на 12,9% — с 1,26 млрд единиц в 2025-м до 1,1 млрд в этом году, что станет самым резким спадом за десятилетие. Основная причина — дефицит памяти, где цены на мобильный DRAM выросли более чем на 70% с начала 2025-го, а NAND удвоились, поднимая долю этих компонентов в себестоимости устройства до 20–25%. Бюджетные Android-смартфоны с LPDDR4 особенно уязвимы: производители вроде Xiaomi уже фиксируют рост цен на 10–20% и откладывают релизы, упрощая линейки или жертвуя характеристиками, чтобы сохранить маржу.
Apple, напротив, демонстрирует стратегическую стойкость благодаря долгосрочным контрактам с Samsung и SK Hynix, которые обеспечили поставки хотя бы на первую половину 2026-го, несмотря на провал переговоров о годовых соглашениях. Компания поглощает удорожание памяти за счет оптимизации цепочек поставок и доходов от сервисов вроде iCloud и Apple Music, сохраняя стартовую цену iPhone 18 на уровне iPhone 17 — около $799–$999 в зависимости от рынка. Даже для Pro-моделей с 12 ГБ RAM вместо 8 ГБ и версий с 512 ГБ NAND возможны точечные повышения, но базовая линейка остается стабильной, что усиливает конкурентное преимущество. В итоге доля Apple на премиум-рынке вырастет, так как конкуренты теряют позиции в масс-сегменте, где дефицит бьет по 70% отгрузок.
Этот кризис уникален: в отличие от прошлых циклов “бума и спада”, восстановление поставок затянется до второй половины 2027-го из-за переориентации фабрик на ИИ-серверы, где память требуется в разы больше. Для iPhone 18 это означает не только стабильные цены, но и потенциальный буст продаж — Apple уже фиксирует спрос выше прогнозов в марте 2026-го, ограниченный лишь нехваткой SoC на TSMC, а не памяти. В долгосрочной перспективе компания может перейти на кастомные чипы памяти или диверсифицировать поставщиков, минимизируя риски, аналогично тому, как это сделано с A18/M4 на 3-нм техпроцессе.
